• EverspinMRAM非易失性存储器的五大优势
• MRAM是一种使用电子自旋来存储信息的存储技术。MRAM具有成为通用存储器的潜力-能够将存储存储器的密度与SRAM的速度结合在一起，同时始终保持非易失性和高能效。MRAM可以抵抗高辐射，可以在极端温度条件下运行，并且可以防篡改。这使得MRAM适用于汽车，工业，军事和太空应用，这些对于MRAM开发人员来说是重要的部分。那么MRAM的优势究竟有哪些呢?下面我们分几点一起来看看:首先，MRAM是非易失性存储器，也就是断电后MRAM依旧可以保存数据。这一点和之前介绍的NRAM类似。其次，MRAM不存在读取磨损的问题。由于MRAM的原理只涉及磁场改变方向等，不像闪存颗粒那样需要一定数量的电子才能工作，...
• 所属专栏： 技术交流 标签： Everspin MRAM,非易失性存储器,MRAM 发帖人：是酒窝啊 发帖时间：2021-02-05 17:09:00

• 基于嵌入式STT-MRAM的架构方案
• 本文由everspin代理宇芯电子介绍关于新型的芯片架构,将嵌入式磁存储芯片STT-MRAM应用于芯片架构设计中,与传统芯片架构相比较,能够降低芯片漏电流,减少芯片静态功耗，延长手持设备的在线工作时长,降低整体使用成本。本方案的技术特征在于:(1)用兼容SRAM的嵌入式STT-MRAMIP取代传统的SRAM单元。SRAM-like的总线接口信号包括片选CS、写使能WE、读使能RE、输出使能信号OE、复位RST、时钟CLK、地址线A、数据输入线DIN和数据输出线DOUT。除了一些串行配置接口之外,基本与SRAMIP的接口保持一致，非常便于SOC的系统集成。如图1为应用嵌入式STT-MRAM之后...
• 所属专栏： 技术交流 标签： STT-MRAM,MRAM,非易失性存储器 发帖人：是酒窝啊 发帖时间：2020-11-18 14:21:00

• 非易失性MRAM存储器应用于各级高速缓存
• 磁阻式随机存储器MRAM是一种新型存储器,其优点有读取速度快和集成度高及非挥发性等。目前许多研究主要是致力于将MRAM运用于计算机存储系统中。同时非易失性MRAM存储器也应用于各级高速缓存。MRAM替代SRAM做L2高速缓存首先比较具有同样面积的MRAM和SRAM。直接用相同面积的MRAM替换SRAM作L2高速缓存能降低错误率。但是写入延时较长。当写入操作强度高时,错误率降低的优势会被长延时所抵消导致性能下降。虽然这种直接替代能大大降低漏功耗,但当写入密集时,动态功耗显著增加,使减少能耗的效果变差。若直接用相同面积的MRAM替代sram,在写入操作较密集时,其写入长延时和高能耗等缺点会抵消其...
• 所属专栏： 技术交流 标签： 非易失性MRAM,MRAM存储器,MRAM 发帖人：是酒窝啊 发帖时间：2020-11-05 17:29:00

• 通用选择器将大大提高MRAM存储技术能力
• 一种称为UniversalSelector的新创新技术，它将显着提高现有和新兴存储技术（包括MRAM，DRAM和ReRAM）的功能，因为它将提供一种新颖的方式设计垂直单元晶体管，以实现更高水平的性能和可靠性和密度。自旋存储器的通用选择器是一种选择性的垂直外延单元晶体管，其沟道的掺杂浓度足够低，可以完全耗尽。对于MRAM存储器，通用选择器使制造商能够创建6F2–10F2（6F2–10F2）的1T1R存储位单元，从而使制造商可以在同一面积内嵌入多达五倍的存储器，而所需的晶片处理成本却最低。MRAM存储器可以抵抗高辐射，也可以在极端温度条件下运行，并且可以防篡改。这使得MRAM存储器适用于汽车和工...
• 所属专栏： 技术交流 标签： MRAM,MRAM存储器,非易失性存储器 发帖人：是酒窝啊 发帖时间：2020-10-10 16:27:00

• Everspin扩展MRAM产品系列
• 经常有人将MRAM称作是非易失性存储器(NVRAM)未来的关键性技术。作为一项非易失性存储器技术，MRAM存储芯片是可以在掉电时保留数据并且不需要定期刷新。MRAM存储芯片利用磁性材料和传统的硅电路在单个器件中提供了SRAM的高速度和闪存的非易失性，它的寿命几乎是没有限制的。MRAM芯片器件可以用于高速缓冲器﹑配置内存,以及其他要求高速且耐用和非易失性的商业应用。Everspin半导体在磁存储器设计和制造及交付给相关应用方面的知识和经验在半导体行业中是独一无二的。包括40nm和28nm及更高工艺在内的先进技术节点上进行了全包交钥匙的300mm大批量平面内和垂直MTJST-MRAM芯片生产。E...
• 所属专栏： 技术交流 标签： Everspin,MRAM,非易失性存储器,Everspin MRAM 发帖人：是酒窝啊 发帖时间：2020-09-22 16:11:00

• EverspinMRAM优化系统能耗
• Everspin在磁存储器设计制造和交付给相关应用方面的知识和经验在半导体行业中是独一无二的。Everspin拥有600多项有效专利和申请的知识产权，在平面内和垂直磁隧道结（MTJ）STT-MRAM位单元的开发方面均处于市场领先地位。本篇文章介绍EverspinMRAM优化系统能耗。与EEPROM或闪存相比，诸如MRAM之类的技术可以显着降低系统总能耗。对于许多无线和便携式应用程序，尤其是在不断增长的物联网中，能源预算（一段时间内消耗的总功率）是至关重要的组成部分。在计算设计的功耗预算时，工程师通常会查看设备的额定功耗。但是，其他因素也可能起作用。例如，对于非易失性存储器，写电流远高于读或待...
• 所属专栏： 技术交流 标签： Everspin MRAM,MRAM,非易失性存储器 发帖人：是酒窝啊 发帖时间：2020-08-17 13:57:00

• ​​everspin非易失性存储器中MRAM的潜在用途
• everspin非易失性存储器中MRAM的潜在用途与电子电荷存储的数据可能会因使用情况，时间和温度而泄漏和击穿的相反，MRAM（磁性随机存取存储器）使用1个晶体管–1个磁性隧道结（MTJ）体系结构作为MTJ的磁态作为数据存储元素。由于MRAM将数据存储为磁性状态，因此与现有的非易失性存储器相比，它具有许多重要的优势。与其他非易失性解决方案相比，MRAM的优势在于：•像不挥发一样闪烁•无编程/擦除周期（最快的写入周期）•快速的SRAM接口•对称的读/写周期•字节寻址能力•并行（x16）接口的35ns/2Bytes•带有串行接口的0.4us/2bytes（使用工作在40MHz的SPI接口）•无限...
• 所属专栏： 技术交流 标签： ​​everspin,非易失性存储器,MRAM 发帖人：英尚微电子 发帖时间：2019-12-31 14:32:00

• EVERSPIN非易失性存储器嵌入式技术
• 相关研究指出，如果以嵌入式MRAM取代微控制器中的eFlash和SRAM，可节省高达90%的功耗；如果采用单一晶体管MRAM取代六个晶体管SRAM，则可实现更高的位元密度和更小的芯片尺寸，这些功率与面积成本优势将使MRAM成为边缘侧设备的有力竞争者。而相较于传统的NAND闪存，PCRAM或ReRAM存储级存储器更可提供超过10倍以上的存取速度，更适合在云端对资料进行存储。MRAM是一种非易失性存储技术，从20世纪90年代开始发展。该技术具备接近静态随机存储器的高速读取写入能力，快闪存储器的非易失性、容量密度和与DRAM几乎相同的使用寿命，但平均能耗却远低于DRAM，而且可以无限次地重复写入。...
• 所属专栏： 电子入门基础知识 标签： EVERSPIN 非易失性存储器 MRAM 发帖人：英尚微电子 发帖时间：2019-12-20 17:24:00

• STT-MRAM存储器技术结构图
• 目前有数家芯片制造商,正致力于开发创新出名为STT-MRAM的新一代存储器技术,然而这项技术仍存在其制造和测试等面向存在着诸多挑战.STT-MRAM（又称自旋转移转矩MRAM技术）具有在单一元件中,结合数种常规存储器的特性而获得市场的高度重视.在多年来的发展中发现,STT-MRAM具备了SRAM的速度与快闪存储器的稳定性与耐久性.STT-MRAM是透过电子自旋的磁性特性,在芯片中提供非挥发性储存的功能.STT-MRAM深受市场关注尽管,STT-MRAM这项技术看起来虽然有其优势,却也高度复杂,这就是为什么它的发展历程远比预期的时间还更长.包括三星、台积电、英特尔、GlobalFoundrie...
• 所属专栏： 技术交流 标签： STT-MRAM,非易失性MRAM,Everspin,非易失性存储技术 发帖人：英尚微电子 发帖时间：2019-12-10 16:33:00

• MRAM在哪方面适合物联网
• “事物”是指可以通过传感器读取或通过电子方式确定和控制其状态的任何事物。通过互联网，物联网将能够彼此通信并做出决策，而无需人工干预。物联网的概念意味着将对象或机器连接到互联网，以便可以收集，共享和完善数据以支持更高的人类生活质量。可以从云中存储和访问应用程序和数据。人，应用程序或其他机器做出的决策可以作为控制事物的命令发布。MRAM在哪里适合物联网？作为快速写入的非易失性存储器，MRAM可能具有许多支持物联网的应用程序。许多物联网应用程序将以间歇访问或批处理模式运行对于必须连续更新快速写入的工作存储器数据，但必须在批读取访问之间或断电时保留的情况下，MRAM是理想的选择。物联网应用，其中待机...
• 所属专栏： 技术交流 标签： 非易失性MRAM,EVERSPIN,MRAM 发帖人：英尚微电子 发帖时间：2019-12-06 16:28:00